2025年内存市场展望与技术趋势分析

由于QLC技术能够提供更高的存储密度,它正逐渐成为数据中心存储的首选方案。随着AI需求的增长,供应商正加快研发1Tb以上高密度NAND芯片,以满足市场对高容量SSD的需求。CXL-PNM(ComputeExpressLink-ProcessingNearMemory)技术的出现为NAND和DRAM的集成应用提供了新机遇,增强了内存技术在AI和边缘计算领域的应用潜力。

华为发布全闪存存储技术,高性能M.2闪存条上市,引领行业变革!

华为于今年初推出了一款内存充裕、性能稳定的高性能M.2闪存芯片，经过严格的实验和优化，实现了高速读/写速度高达7400MB/s，远高于行业均值。尽管现在全闪存的价格还很高，但随着技术的进步和市场的发展，它的成本还会继续降低。这将有助于他们更好地进行资料的整理与备份，因此可以在中小学、医院及其他教学单位...

全球NAND闪存行业下游需求扩大 3D、4D NAND为技术主流发展趋势

以SLC和QLC为例,SLC相对于其他类型NAND闪存颗粒单位容量成本更高,但其数据保存时间更长、读取速度更快,反之,QLC拥有较高的存储密度且更低的成本,但是其寿命短、读取速度慢,目前NANDFlash主要以TLC为主。因此,重要的是,首先要根据NAND闪存的应用领域决定是否优先考虑信息量,性能和寿命,然后选择适当的编程方法。资料...

机构:预计2025年存储器产业营收将创新高 价格上涨和HBM、QLC技术...

《科创板日报》22日讯,据TrendForce集邦咨询最新存储器产业分析报告,受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格,加上HBM(高带宽内存)等高附加价值产品崛起,预估DRAM(内存)及NANDFlash(闪存)产业2024年营收年增幅度将分别增加75%和77%。而2025年产业营收将持续维持成长,DRAM年增约51%、NANDFlash年增长则来到29%,...

AI需求强劲推动市场变化 DRAM、NAND闪存价格持续上涨

随着AI技术的不断发展,其对内存和闪存的需求也在不断增长。尤其是HBM高带宽内存,其需求旺盛,原厂纷纷扩产。例如,三星的HBM3E使用了先进的1α工艺,第三季度将大幅扩产,预计到今年底这部分产能将占到大约60%,这无疑会进一步加剧DDR5的产能压力,从而推动内存价格的上涨。

...长电科技巨资收购全球第二大NAND闪存供应商子公司股权后应声涨停

SK海力士周四表示,今年将投资10亿美元发展高带宽内存技术(www.e993.com)2024年11月22日。公司曾在2月底宣布HBM内存生产配额全部售罄,24年产销量已达饱和状态,正积极筹备2025年订单。此外,美光科技CEO已对外透露,公司今年HBM产能预计已全部售罄。三星亦称已收到AMD与英伟达的HBM订单,将增加供应以应对缺货。

【芯智雲城】一文掌握铠侠(KIOXIA) SLC闪存产品系列和应用

图5:浮栅晶体管是闪存芯片的技术基础东芝公司带来的NandFlash新结构,强调降低每比特的成本的同时带来更高的性能。因此NandFlash没有沿用内存的随机读取技术,而是采用一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,同时内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。

存储芯片的江湖

国内企业正加大对技术研发的投入,特别是在高密度存储技术、低功耗技术以及存储器与计算的融合技术等方面,取得了重要进展。长江存储科技在3DNAND技术上的突破,合肥长鑫存储在DRAM技术上的进展,都体现了国内存储芯片行业在技术创新上的努力和成果。??长鑫存储,已经生产出了DDR5内存,??处于顶尖水平。??尽管在工艺...

佰维存储2023年年度董事会经营评述

在公司自主品牌佰维(Biwin)方面,公司推出了WOOKONG系列电竞级存储解决方案,其中DX100DDR5超频内存条传输速率高至8,000Mbps、时序低至CL36;NV3500SSD支持PCIe3.0x4接口及NVMe1.4协议,读写速度分别达到3,500MB/s、3,000MB/s,支持HMB缓冲技术,智能调用内存作为CPU与SSD数据传输的高速桥梁,大大降低读写延迟;NV7400SSD...

重量级选手轻松变身!vivo X Fold3评测:比直板机还轻的大折叠

快充适配器支持最高80W功率的输出。三、性能与游戏:第二代骁龙8新增16GB+1TB大存储主流手游畅玩无压力vivoXFold3搭载第二代骁龙8移动平台,LPDDR5X+UFS4.0存储搭配依然是芯片支持的最高的存储规格,相比XFold2新增了16GB内存版本,存储最高也达到了1TB。