江南大学焦星辰/中科大谢毅Angew:钯颗粒负载的Nb??O??纳米片...

鉴于此,Nb2O5和Pd-Nb2O5纳米片的价带边缘位于1.3和1.66VvspH7的NHE。基于UV-vis漫反射光谱和图2c中相应的带隙,Nb2O5和Pd-Nb2O5纳米片的导带边缘位于–1.63和–0.86V,相对于pH值为7的NHE。能带结构表明两种纳米片都显示出适当的能带边缘位置,有助于CO2还原成CO、CH4、C2H4和CH3COOH产物。随后,使用...

“金刚石+氧化镓”助力更高性能射频器件

β-Ga2O3的带隙为4.7-4.9eV,理论击穿场强为8MVcm-1,电子饱和速度高达2×107cms-1,与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比,其带隙远高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV,更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带,因此氧化镓具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等特性。此外,β-Ga2...

朱永法教授团队Chem:可见光诱导价带内强氧化空穴产生

Side-CB和Side-VB分别表示导带最低点和价带最高点,分别对应LUCO和HOCO。Intra-VB指的是内部价带,本研究特别关注HOCO-1轨道。基于实验测定了PTCDA光催化剂的side-CB为-0.32V,side-VB的氧化电位为1.65V,HOCO-1的位置为2.98V。考虑到从HOCO-1到LUCO的电子跃迁需要高能激发(E≥3.30eV,λ≤376nm)以及HO...

Kagome 是黑白还是中庸?

(B)固体能带理论中价带和导带都占据一定能量区间,但物理人认为费米能处有载流子就是金属,没有就是绝缘体。(C)用He3/He4的超流特性来表示moreisdifferent,不算无理。粒子的集合,可演生新的物理,而此物理非离子相互作用能推演出来。(D)磁电耦合(静态)在麦克斯韦方程中是不可能的,要么...

被朋友拉去听演唱会,可注意力全程被手里这个东西吸引

在复合的过程中,释放出的能量正是导带底与价带顶之间的能量差,即禁带宽度Eg(单位:电子伏特eV)。不同的禁带宽度,释放不同的能量,即产生不同颜色的LED。LED产生光的波长与禁带宽度的关系如下式所示而采用不同的半导体材料,获得不同的禁带宽度,就可以产生多种颜色的LED啦~...

快速了解第三代半导体及宽禁带半导体

价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带导带：0K条件下未被电子填充的能量最低的能带禁带：导带底与价带顶之间能带带隙（禁带宽度）：导带底与价带顶之间的能量差从图中我们不难发现半导体和绝缘体之间差异最大的地方在于禁带宽度，而在第三代半导体概念中的宽禁带半导体，其中“宽禁带”指的就是禁带宽度...

大国质造|逆势突围,领跑行业!光因科技登顶NREL世界纪录榜单

在光照条件下,钙钛矿材料吸收光子(光的基本粒子),电子从价带(指基态下晶体未被激发的电子所具有的能量水平)跃迁到导带(激发态下晶体中被激发电子所具有的能量水平),随后以极快的速度注入到电子传输层ETL,对应空穴被传输至空穴传输层HTL;然后电子和空穴被电极收集,接上负载后,电池便可对外做功。

半导体芯片,到底是如何工作的?

一方面,电子管容易破损,故障率高;另一方面,电子管需要加热使用,很多能量都浪费在发热上,也带来了极高的功耗。所以,人们开始思考——是否有更好的方式,可以实现电路的检波、整流和信号放大呢?方法当然是有的。这个时候,一种伟大的材料就要登场了,它就是——半导体。

Tip-Lab之畴壁十字架 | Ising专栏

畴壁十字架的形态,让物理人马上能想到:畴壁处的能带结构,可能会被束缚电荷严重弯曲,从而让费米面移动到价带处或导带处,形成高电导或高电阻的畴壁。更低端的物理认知就是图1(A)所示的图景,在此不论。注意到,这里的BFO呈现n型半导体特征。以中心收敛畴为例,其畴壁导电性显著升高是必然的。图3(C...

钙钛矿电池能在太空中自我修复?是时候好好盘盘它啦!

用之不尽。倘若能大规模取代火力发电，不仅能有益于普罗大众，更是造福于自然环境。当然啦，想要实现这点，还得解决很多问题，例如降低制造光伏电池的制造成本，提高电池的能量转换效率，应对不同地区、时节光照资源的巨大差异等等。而这，便需要光伏技术取得长足进展，特别是寻找或造出更加先进的光伏材料。