??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是...

MOS管GS电阻有什么作用?

t0→t1:当GS两端电压达到门限电压Vgs(th)的时候(可以理解为对Cgs进行充电),MOS管开始导通,这之前MOS管处于截止区;t1→t2:随着Vgs继续增大,Id开始增大,Vds开始下降,此时MOS管工作在饱和区(如何判断是在饱和区?直接通过公式可知:Vds>Vgs-Vth,Vds-Id输出特性曲线反着分析一遍),Id主要由Vgs决定,这个过程中Vds会稍...

吃透MOS管,看这篇就够了

现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外,在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS管取代过去的大功率晶体三极管,使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别,在应用上;驱动电路也比晶体三极管复杂,致使维修人员对电路、故障的分析...

MOS管及其外围电路设计

注1:图中的Rpd为mos管栅源极的下拉电阻,其作用是为了给mos管栅极积累的电荷提供泄放回路,一般取值在10k~几十k这一数量级。由于该电阻阻值较大,对于mos管的开关瞬态工作情况基本没有影响,因此在后文分析mos的开关瞬态时,均忽略Rpd的影响。注2:Cgd,Cgs,Cds为mos管的三个寄生电容,在考虑mos管开关瞬态时,这三...

MOS管烧了,可能是这些原因

与MOS管自身的性能相比,MOS管体二极管通常具有较长的反向恢复时间。如果一个MOS管的体二极管在对立器件开启时导通,则类似于上述击穿情况发生“短路”。这个问题通常可以通过在每个MOS管周围添加两个二极管来缓解。首先,肖特基二极管与MOS管源极串联,肖特基二极管可防止MOS管体二极管被续流电流正向偏置。其次,高速...

MOS管G极与S极之间的电阻作用

将MOS管开启时间分解:t0→t1:当GS两端电压达到门限电压Vgs(th)的时候(可以理解为对Cgs进行充电),MOS管开始导通,这之前MOS管处于截止区;t1→t2:随着Vgs继续增大,Id开始增大,Vds开始下降,此时MOS管工作在饱和区(如何判断是在饱和区?直接通过公式可知:Vds>Vgs-Vth,Vds-Id输出特性曲线反着分析一遍),Id主要由Vgs...

从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。

MOS管的基本知识:现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外,在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS管取代过去的大功率晶体三极管,使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别,在应用上驱动电路也比晶体三极管复杂,致使维修人员...

开关电源电路设计的10个经验

以我们常用的BUCK电路为例,如下图:控制IC的地一般是与输入电源的地共地的,而MOS管的S极与输入电源的地之间还有一个二极管,所以控制IC的驱动信号不能直接接到MOS管的栅极,而需要额外的驱动电路或驱动IC,比如变压器隔离驱动或类似IR2110这样的带自举电路的驱动芯片。

MOS管基础及选型指南

▉寄生二极管由于生产工艺,一般的MOS管会有一个寄生二极管,有的也叫体二极管。红色标注的为体二极管从上图可以看出NMOS和PMOS寄生二极管方向不一样,NMOS是由S极→D极,PMOS是由D极→S极。寄生二极管和普通二极管一样,正接会导通,反接截止,对于NMOS,当S极接正,D极接负,寄生二极管会导通,反之截止;对于PMOS...

碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法

图1:SiSJ-MOSFET(图左)与SiCMOSFET(图右)传递特性曲线如下图所示为SJ-MOSFET与SiCMOSFET的输出特性曲线,当VGS超过8V后,SJ-MOSFET已经充分导通,其IDS-VDS的特性曲线几乎重叠。而SiCMOSFET在不同VGS下的IDS-VDS曲线相距较远,且饱和区与线性区的拐点没有Si器件明显。同时SiCMOSFET的曲线的斜率在VGS大于15V...