852纳米窄线宽半导体激光器问世

其中,用于铯原子里德堡态制备的852纳米窄线宽激光器是典型代表。新研究研发的激光器结构通过引入飞秒激光诱导的双折射Bragg光栅滤波器,并与高偏振相关性半导体增益芯片混合集成,利用偏振模式选择性反馈和注入锁定技术,实现了超过30dB偏振消光比和低至2.58kHz的高线偏振、窄线宽激光输出。该激光器可作为量子精密测量系统...

索尼谈图像传感器未来的机遇和挑战

第二,用于工业/社会基础设施的相机和图像传感器被定位为“有利可图的业务领域”,该公司的政策是在保持/加强高竞争力的同时实现利润最大化。第三,车载图像传感器、系统解决方案、OLED微显示器和半导体激光器被指定为“战略业务领域”。尽管扩大业务规模并实现盈利还需要一定的时间,但该公司解释称,将“对预计增长的领...

英诺激光:上半年营收同比增长44.26%,以技术创新推动多元发展

英诺激光拥有国际先进水平的激光技术,在激光器和整体解决方案领域拥有较为深厚的技术储备,截至报告期末,公司(含子公司)已申请知识产权614项,其中美国专利6项、发明专利198项、实用新型专利206项、外观专利5项、PCT申请25项、软件著作权72项、商标102项;授权并在有效期内的知识产权398项,其中美国专利6项、发明专利55...

激光无线能量传输(LWPT)与太阳电池效率研究

此后,为了探究不同激光波长对光伏电池输出特性的影响,分别采用了波长为915nm与808nm的激光对Si电池进行辐照,得到伏安特性曲线如图4所示,可以看出,在相同功率密度下,相对于808nm激光,915n激光辐照下Si电池的短路电流更大,开路电压相似,且填充因子更高,所以其能量转换效率也更高。这是因为Si材料的光谱响应曲线峰值...

国内半导体激光芯片双结突破110W、单结突破74W

度亘核芯新近研发的915nm500um条宽单管双结激光芯片,在具有极高的电光转换效率的前提下,在室温和55A连续工作条件下,突破性的实现了110W的高输出功率,为业界领先水平。图19xxnm双结半导体激光芯片特性曲线(CW)双结激光芯片的技术突破是建立在已批量生产的单结9xxnm芯片技术基础之上,现已在业界广受欢迎...

索尼CIS,要拿下60%市占|相机|传感器|激光器|索尼cis_网易订阅

半导体激光器、OLED等图像传感器以外的策略清水先生提到,除了图像传感器之外,半导体激光器是该公司重点发展的业务之一(www.e993.com)2024年11月10日。在与硬盘巨头希捷合作多年后,该公司解释说,它是“世界上第一家开始大规模生产”用于热辅助磁记录(HAMR)硬盘的半导体激光器的公司。HAMR是一种与传统方法相比可以显着提高记录密度的技术,数据中心市...

英诺激光获3家机构调研:去年,公司在纳秒紫外激光器保持领先优势的...

历年来的激光器毛利率保持稳定,凸显了公司的产品和品牌的竞争力。去年,公司在纳秒紫外激光器保持领先优势的基础上,加大了高端产品布局,包括超快激光器、深紫外激光器,拓展光伏、半导体等市场,带动了毛利率提升。同时,公司注重领先的技术优势转化为成本控制能力,依托研发设计优化来降低成本,保障了毛利率稳定在较高水平。

...材料壁垒突破,“专精特新”企业助力国产替代加速_防盗_半导体...

1.1、光刻胶是光刻工艺关键材料,半导体光刻胶技术壁垒高光刻胶是利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模板转移到待加工基片上的图形转移介质。其中曝光是通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射,使光刻胶的溶解度发生变化。光刻胶主要用于微电子领域的...

基于LabVIEW的半导体激光器测试系统*

1PIV特性测试半导体激光器的PIV测试是指在激光器加电过程中,对其功率、电流、电压曲线进行实时测试,同时对激光器的一些关键指标进行计算。这些指标包括如下。1.1功率测试[2]功率测试包括输出光功率测试、平均功率测试及峰值功率测试,其测试装置组成如图1所示。

英诺激光接待3家机构调研,包括中信证券、华创证券、河床资本

2024年10月14日,英诺激光披露接待调研公告,公司于9月20日接待中信证券、华创证券、河床资本3家机构调研。公告显示,英诺激光参与本次接待的人员共2人,为副总经理、董事会秘书张勇,投资者关系专员陈展宏。调研接待地点为深圳市南山区总部。据了解,英诺激光在2024年上半年的激光器业务实现了显著增长,营收达到1.44亿元...