MOS管的安全工作区SOA详解(一)限制线介绍
SOA示意图中蓝色的就是Rds(on)限制线,简单理解,就是MOS管完全导通的时候,会有导通电阻Rds(on),我们知道,此时MOS工作在欧姆区,有关系式Vds=Ids*Rds(on),在我们固定条件Vgs和温度的情况下,Rds(on)就是一个常数,所以我们会看到这条曲线是线性的。如下图是TI的PMOS管CSD25404Q3T,我们在Rds(on)限制线取量...
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
黄色:在VDS升高到一定的值以后,MOS的安全区域主要由MOS的热阻相关也就是耗散功率来进行限制,而DC曲线则表示当流过电流为连续的直流电流时,MOSFET可以耐受的电流能力。其它标示着时间的曲线则表示MOSFET可以耐受的单个脉冲电流(宽度为标示时间)的能力。单次脉冲是指单个非重复(单个周期)脉冲,单脉冲测试的是管子瞬间耐受...
一文搞懂IGBT
IGBT静态特性曲线包括转移特性曲线和输出特性曲线:其中左侧用于表示IC-VGE关系的曲线叫做转移特性曲线,右侧表示IC-VCE关系的曲线叫做输出特性曲线。1、转移特性曲线IGBT的转移特性曲线是指输出集电极电流IC与栅极-发射极电压VGE之间的关系曲线。为了便于理解,这里我们可通过分析MOSFET来理解IGBT的转移特性。当VGS=0V...
碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法
同时在VGS高达20V时(参考输出特型曲线),也没有进入饱和状态,正是由于以上特性,要求SiCMOSFET的开通驱动电压高于SJ-MOSFET,以使得SiCMOSFET工作在负温区。可以看出温度对SiCMOSFET输出电流特性的影响小于SJ-MOSFET。图1:SiSJ-MOSFET(图左)与SiCMOSFET(图右)传递特性曲线如下图所示为SJ-MOSFET与SiCMOSFET...
...15W模组全面解析|电源|充电器|充电头|充电时间|magsafe|辰芯...
辰芯CX8915S是一款高集成度高效率无线充电SoC芯片,兼容WPCQi2无线充电标准,芯片内部集成了无线充电器所需的一切功能,包括PD和QC等快充协议取电,开关降压和LDO,无线充电控制,包括全桥MOS管驱动器和全桥MOS管,只需外置少量必要的外围元件即可。CX8915S支持USBPD和QC取电,内部集成32位ARM内核;内核频率高达96MH...
IGBT驱动电路介绍
IGBT的静态特性一般用不到,暂时不用考虑,重点考虑动态特性(开关特性)(www.e993.com)2024年9月9日。动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取:IGBT的开通过程IGBT在开通过程中,分为几段时间1.与MOSFET类似的开通过程,也是分为三段的充电时间2.只是在漏源DS电压下降过程后期,PNP晶体管由放大区至饱和过程中增加了一段延迟时间。
开源证券:人形机器人为低压伺服、轴承开启第二成长曲线 国产硬件...
因为大部分低压伺服不使用IGBT,而是使用MOS管,MOS管的开关频率更高、驱动性能更好。(3)低压伺服驱动器比高压伺服驱动器体积更小。低压伺服驱动不需要整流系统(整流模块的作用是把交流电转换为直流电),一般也没有IGBT模块。埃莫(Elmo)是全球伺服驱动器龙头,国内具备低压伺服驱动生产能力的厂商包括步科股份、伟创电气、...
MOS管手册解读
8.td(on)导通延时时间、tr上升时间、td(off)关断延时时间、tf下降时间、td(off)关断延时时间,示意图如下:在计算半桥电路死区时间时,常参考这几个参数值。9.Ciss,Coss,Crss寄生电容Ciss是输入电容,当输入电容充电至阈值电压时,MOS管才能开启,放电到一定程度才会关闭。Ciss对MOS管的开启和关断延时有直接影响。
干货|技术参数详解,MOS管知识最全收录
导通瞬间电压和电流的乘积越大,构成的损失也就越大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。3、寄生电容驱动特性跟双极性晶体管相比,MOS管需要GS电压高于一定的值才能导通,而且还要求较快的导通速度。在MOS管的结构中可以看到,在GS、GD...
MOS管参数,一一解惑
对于一定的栅-源电压,MOSFET导通后,存在最大的漏极电流。如图所示,对于给定的一个栅-源电压,如果工作点位于线性区域内,漏极电流的增大会提高漏-源电压,由此增大导通损耗。长时间工作在大功率之下,将导致器件失效。因此,在典型栅极驱动电压下,需要将额定IDM设定在区域之下。区域的分界点在Vgs和曲线相交点。