SDN可编程交换芯片架构核心:RMT,一个可编程的网络DSA
NickMcKeown在ONFConnect2019演讲中定义了SDN发展的三个阶段：l第一阶段（2010–2020年）：通过Openflow将控制面和数据面分离，用户可以通过集中的控制端去控制每个交换机的行为；l第二阶段（2015–2025年）：通过P4编程语言以及可编程FPGA或ASIC实现数据面可编程，这样，在包处理流水线加入一个新协议的支持，...
在Excel 中构建 16 位 CPU!国外大牛极限“整活”:128KB RAM、16...
带16位地址总线,有65,536个可寻址的16位内存单元,总共128KBRAM,他将它们装入一个256x256表中,并在顶部安装了一个内存管理单元。这里的关键信号是来自控制单元的内存写入,即来自第一个多路复用器的地址以及来自ALU的值。该地址转换为基于Excel空间的X和Y坐标,如果内存写入信号设置为高,...
普冉股份2023年年度董事会经营评述
公司已形成覆盖2Kbit到4Mbit容量的EEPROM产品系列,操作电压覆盖1.2V-5.5V,主要采用130nm工艺制程,具有高可靠性、面积小、性价比高等优势,同时实现了分区域保护、地址编程等功能,可对芯片中存储的参数数据进行保护,避免数据丢失和篡改,可擦写次数可达到400万次,数据保持时间可达200年。公司部分中大容量产品采用95nm及以...
荣威RX5智驾域控器拆解分析
TC397芯片在此域控制器中的功能:负责整车控制和整车数据交互。英飞凌AURIXTC397简介TC397属于英飞凌AURIX2G系列产品,该系列MCU具备多达六核的高性能架构,美国内核的时钟频率最高达300MHz,科实现高速的计算能力;在存储方面,该系列产品最大支持16MBFlash,并具有A/B切换功能,可以便捷的实现空中下载软件更新功能--...
域控拆解 | 荣威 RX5 NGP 智驾版域控制器设计方案
适用于APeMMC主机的传输模式,最高可达8线使用BIF-SD设备接口的HS200模式(最大192MB/s)。应用处理器(AP)使用BIF-SPI和BIF-SD主机接口访问J3的DDR、SRAM和模块寄存器,以进行数据交换和控制;<o:p></o:p>支持USB3.0主机/设备双角色高速接口。2.3.1.4地平线征程3的使用工具链2.3...
串行数据线的一个总结和概述
RS422通过两对双绞线可以全双工工作收发互不影响,而RS485只能半双工工作,发收不能同时进行,但它只需要一对双绞线(www.e993.com)2024年11月17日。RS422和RS485在19kpbs下能传输1142米。用新型收发器线路上可连接台设备。1394IEEE1394,别名火线(FireWire)接口,是由苹果公司领导的开发联盟开发的一种高速度传送接口,数据传输率一般为800Mbps...
...微控制器,增加USB-C全速双模端口、CAN FD接口和更大容量的存储器
意法半导体STM32G0*系列Arm??Cortex??-M0+微控制器(MCU)新增多款产品和更多新功能,例如,双区闪存、CANFD接口和无晶振USB全速数据/主机支持功能。本文引用地址:httpeepw/article/202107/426797.htm对于注重预算的应用,新的STM32G050超值产品线、STM32G051和STM32G061主流产品线增加了...
复旦微电推出NAND Flash及EEPROM存储器新品
4月27日,上海复旦微电子集团股份有限公司今日举办线上发布会,推出FM25/FM29系列SLCNAND,FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。本文引用地址:FM25/FM29系列产品基于28nm先进NANDflash工艺,满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠...
Microchip全新EERAM存储器解决方案,可降低存储器成本并在断电时...
从智能电表到生产线,需要进行重复任务数据记录的应用必须能够在处理过程中断电的情况下自动恢复内容。按照每比特存储单价计算,目前用于这些数据记录的低密度(64Kb至1Mb)非易失性串行RAM(NVRAM)解决方案通常是成本最高的终端产品。MicrochipTechnologyInc.(美国微芯科技公司)近日宣布推出全新系列的串行外设接口(SPI)EERA...
龙芯的3A5000解析
存储器操作从地址生成单元开始执行,该单元计算出加载或存储操作要寻址的存储器地址,并将其传递给加载/存储单元。龙芯3A5000的LA464内核有两个AGU,使其在每个周期内执行两个内存操作。两个都可以是加载,一个可以是存储。这使得它与NeoverseN1、Zen1和SandyBridge大致相当。