江波龙取得低功耗双列直插式存储器及其增强驱动方法专利,实现低...

该存储器为可插拔双列直插式结构,兼容DDR内存接口,存储器基于低功耗内存芯片的DDR4SO??DIMM接口以信号完整性和电源完整性为原则做如下引脚分配:存储器的电源引脚和接地引脚通过对DDR4SO??DIMM接口的数据线、控制线和地址线的两端从新分配得到,使布线时数据线、控制线、地址线通过电源引脚和接地引脚隔离;存储器的...

AI内存瓶颈(下):DRAM与HBM

首先是带宽,它代表处理器可以从内存中读取数据或将数据存储到内存中的速率,用于衡量吞吐量,以GB/s为单位。内存带宽(MB/s)=数据总线位宽(Bytes)×每秒数据传输次数(MT/s),位宽(BitWidth)指的是计算机体系结构中一次性能处理的数据位数,比如32位处理器一次可以处理32位(4字节)的数据,而64位处理器可以处理64位(...

ARM与不同位宽存储器的地址线错位接口 , 外部总线接口深

地址数据总线:D0-D31,A0-A23,OE,WE,CS0-CS3,BLS0-BLS3启动后由P2.7/P2.6控制引导方式,然后由程序设置MEMMAP决定中断向量的映射。BCFG0-BCFG3控制读写延时和总线宽度。注意复位后的默认值。PINSEL2控制引脚功能。BootBlockLPC2114/2214的BootBlock被固化在最高的Flash块中,运...

单板硬件设计:存储器( NAND FLASH)

norflash数据线和地址线分开,可以实现ram一样的随机寻址功能,可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。NORFLASH的主要供应商是INTEL,MICRO等厂商。nandflash同样是按块擦除,但是数据线和地址线复用,不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。(nandflash按块来擦除,按页来读,norflash没有页),...

国产SLC闪存芯片再获突破,容量扩展至8Gb,助力中国物联网发展

NOR闪存与NAND闪存有很大的区别，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小，主要用来存储代码及少量数据，比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，NOR闪存通常用于瘦客户机、机顶盒、打印机和驱动器控制器。而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O...

一文带你认识半导体存储器

64kb动态RAM存储器:芯片2164A的容量为64K×1位,即片内共有64K(65536)个地址单元,每个地址单元存放一位数据(www.e993.com)2024年11月17日。需要16条地址线,地址线分为两部分:行地址与列地址。芯片的地址引线只要8条,内部设有地址锁存器,利用多路开关,由行地址选通信号变低(RowAddressStrobe),把先出现的8位地址,送至行地址锁存器;由...

解析SRAM存储容量及基本特点

地址线:单向输入,其位数与芯片的容量有关片选线:确定哪个芯片被选中(用来选择芯片)数据线:双向输入,其位数与芯片可读出或者写入的位数有关,也与芯片容量有关。存储容量通常我们将存储容量表示为:字数X位数,比如64KX8位,其含义为,以8位构成一个字,一共有64个字。这个概念要相当熟悉,后面理解题目很有用。

大容量存储的NOR FLASH的原理及应用

从图1可以看出,每个片选控制了每一Block的写保护信号#WP,另外芯片中的每一个Block的其他控制端口、地址线和数据线都是共用的。图2为VDRF256M16中的任一Block的结构框图,它主要由控制逻辑、存储整列等组成。下面为VDRF256M16的主要特性。-总容量:256Mbit;...

51单片机程序存储器扩展

27C64是8KB×8位EPROM器件,有13根地址线A0～A12输入,它能区分13位二进制地址信息。这13根地址线分别与8031的P2口和P2.0～P2.4连接,当8031系统发出13位地址信息时,分别选中27C64片内8KB存储器中的各单元。数据线的连接:存储器的8位数据线D0～D7接P0口(P0.0～P0.7)。单片机规定指令码和数据都由P0口...

深入理解计算机系统 ——CAEer 视角

如图所示,在地址#1~#4所指向的内存中,存储16进制数据01234567H,其中“01”表示数据的高有效位(8bit),“67”表示数据的低有效位,则将高有效位放在前面为大端模式;将高有效位放在后面为小端模式。1.5字符串字符串是由一个个字符组成的,而在计算机中,每一个字符与“0/1”建立联系是通过ASCII编码(8...