三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存,用于AI服务器

全球最大的存储芯片制造商三星电子计划在2026年前推出400层V-NAND闪存芯片,以在人工智能(AI)热潮中引领快速增长的存储设备市场。根据三星的存储芯片发展规划,其负责半导体业务的设备解决方案部门(DS)目标是最早在2026年生产出至少有400层单元垂直堆叠的V-NAND,以最大限度地提高容量和性能。三星目前批量生产286层大...

国产芯片“攻入”车厂

在近日结束的湾区半导体产业生态博览会(下称“湾芯展”)上,蔚来联合创始人、总裁秦力洪就公开了一则数据:“以蔚来为例,智能汽车在算力、功率半导体、传感器、存储芯片等方面的需求日益增加,每辆车所搭载的芯片数量已从几年前的3200颗增长到如今的4200颗。”对比之下,一部手机的芯片数量大约在100颗,主要包括主处理...

市场低迷,三星与铠侠共同减产NAND闪存背后的深层原因

根据高盛的研究报告,三星已经在2023年削减了20%至25%的DRAM(动态随机存取内存)和NAND闪存芯片产量,而这一减产趋势将在2024年第二季度之前持续,直至芯片业务能力稳定,回归盈亏平衡。与此类似,SK海力士和美光等其他主要存储器制造商也正在设置“盈亏平衡红线”,以防止市场价格进一步下跌。整体来看,NAND闪存市场的回暖似乎...

UFS 4.0主控芯片汇总,驱动生成式AI设备的存储引擎

PS8361瞄准最高规格的旗舰手机市场,属于UFS4.0控制芯片,采用了12nm工艺制造,为四通道设计,最大闪存容量为1TB,搭载第六代LDPC+RAIDECC纠错技术,顺序读写速度可超过4000MB/s,在其每单位mA的读取性能提升下,将能有效延长移动设备的电池使用效率。SAMSUNG三星三星UFS4.0三星新开发的UFS4.0采用三星第7代...

对华围堵失效!中美差距或断崖式,中国芯片设备支出已近1800亿

存储芯片领域的进展同样令人振奋。长江存储在2022年4月宣布，其128层3DNAND闪存芯片已经实现量产。这标志着中国在高端存储芯片领域已经跻身世界前列。合肥长鑫在DRAM领域也取得了突破，其19纳米DDR4内存芯片已经进入量产阶段。尽管取得了这些进展，中国芯片产业依然面临着巨大的挑战。在高端芯片设计、先进制造工艺、核心设备...

甜头没尝几天,存储芯片又要“凉”?

TrendForce集邦咨询近日也发布研报称2024年第二季度存储模组厂在消费类NANDFlash零售渠道的出货量已大幅年减40%(www.e993.com)2024年11月5日。确切来说,存储芯片市场正在经历一场细分化的变革,即消费类存储器市场承压、专业存储器需求旺盛。这种情况不仅表现了全球消费性存储器市场正面临严峻挑战,也揭示了AI服务器需求成为存储市场的主要驱动力。

绕过光刻机造8nm芯片?复旦大学突然宣布,外媒:大势已去了

也就是说在存储芯片领域,可以通过这种新工艺绕过光刻机直接造出8nm制程的闪存芯片!据悉目前该论文已经发表于国际权威期刊《自然》上面。要知道在目前的硅基闪存芯片领域,制程工艺的极限在15nm,只要低于15nm工艺就会十分不稳定,所以就连三星和SK海力士都没有追求更先进的制程工艺,而是通过多层堆叠来实现性能的提升。

美国和日本即将达成协议,限制对华芯片技术出口

据TechXplore网9月14日消息,复旦大学研究人员开发了一种可扩展的集成方法,用于制造超快二维闪存器件。研究人员采用了多种加工技术,包括光刻、电子束蒸发、热原子层沉积、聚苯乙烯辅助转移技术和退火工艺,成功运用二维二硫化钼材料制造超快速闪存芯片,成功集成了1024个设备,良品率超过98%。这种新方法将闪存通道缩小到10纳...

存储芯片在复苏中分化

存储芯片在复苏中分化向来被视为半导体产业“风向标”的存储芯片市场,今年上半年强劲复苏。专业存储市场调研机构CFM闪存市场近日发布的数据显示,2024年二季度全球NANDFlash(非易失性存储器)市场规模环比增长18.6%至180.0亿美元,DRAM(易失性存储器)市场规模环比增长24.9%至234.2亿美元。全球存储市场规模二季度环比增长...

业界最高密度,西部数据预览 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片

西部数据闪存业务总经理罗伯特??索德伯里（RobertSoderbery）还在这场活动上展示了BICS82TbQLCNAND闪存芯片实物，该芯片的长度与一个指尖的宽度大致相当：索德伯里表示，该闪存新品即将正式发布。回到BiCS8技术上来，西部数据-铠侠此次采用了类似长江存储Xtacking的CBA技术路线，即分别制造存储堆栈和CMOS...