ACS Nano:可靠的二维钙钛矿忆阻器,用于柔性电阻随机存取存储器阵列

ACSNano:可靠的二维钙钛矿忆阻器,用于柔性电阻随机存取存储器阵列二维(2D)卤化物钙钛矿因其低功耗、成分多样性和微结构各向异性而在电子学中成为有前途的忆阻器材料。然而,要实现高性能的阻变随机存取存储器,需要更高的可靠性和耐湿性。为了解决这些问题,尽管已有研究报告了组成研究并尝试提高相稳定性,但仍未能达到...

...失性位具有单个非易失性位的非易失性静态随机存取存储器架构专利

金融界2024年9月30日消息,国家知识产权局信息显示,意法半导体(鲁塞)公司取得一项名为“每易失性位具有单个非易失性位的非易失性静态随机存取存储器架构”的专利,授权公告号CN110782932B,申请日期为2019年7月。本文源自:金融界作者:情报员

美光科技申请计算快速链路动态随机存取存储器加与非系统解决方案...

所述系统还包含：动态随机存取存储器DRAM，其可操作地耦合到所述第二接口；存储器控制器，其可操作地耦合到所述第二接口及所述DRAM且经配置以控制信息通过所述第二接口在所述DRAM与所述主机计算装置之间的传送；及处理电路系统，其至少经配置以将通过所述第一接口接收的所述第一数据存储在所述非易失性存储器中。

台积电取得静态随机存取存储器装置专利,提高存储性能

金融界2024年7月21日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“静态随机存取存储器装置“,授权公告号CN21381673U,申请日期为2023年11月。专利摘要显示,本新型的一面向涉及静态随机存取存储器装置。此静态随机存取存储器装置包含基板,其具有第一区及相邻第一区的第二...

台积电申请双端口静态随机存取存储器单元电路专利,提供了一种特定...

专利摘要显示,本发明的实施例提供了一种双端口静态随机存取存储器(SRAM)电路,包括Vdd节点和具有相同结构的第一SRAM单元和第二SRAM单元的双端口静态随机存取存储器(SRAM)单元对。第一SRAM单元是十晶体管SRAM单元,包括第一上拉晶体管和第二上拉晶体管、与第一上拉晶体和所述第二上拉晶体形成锁存器的...

动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)区别?

集成度：DRAM集成度高，可以在较小的空间内存储更多数据；SRAM集成度较低(www.e993.com)2024年11月22日。成本：DRAM成本较低，SRAM成本较高。刷新：DRAM需要定期刷新来保持数据，SRAM则不需要刷新。功耗：一般情况下，SRAM的功耗相对较高，DRAM功耗较低。应用场景：SRAM常用于高速缓存等对速度要求极高的地方；DRAM广泛用于主内存等...

SRAM(静态随机存取存储器)概念盘中拉升,纳思达涨6.09%

06月17日,SRAM(静态随机存取存储器)概念盘中拉升,截至10点22分,SRAM(静态随机存取存储器)概念整体指数上涨1.08%,报1121.250点。从个股上来看,该概念的成分股中,纳思达(27.450,-0.23,-0.83%)涨6.09%,恒烁股份(34.670,-3.54,-9.26%)、睿能科技(14.920,-0.45,-2.93%)、北京君正(73.050,0.65,0.90%)涨幅居前...

静态随机存取存储器(SRAM)行业发展现状及市场潜力分析报告

据GIR(GlobalInfoResearch)调研,按收入计,2023年全球静态随机存取存储器(SRAM)收入大约391.7百万美元,预计2030年达到337.5百万美元,2024至2030期间,年复合增长率CAGR为-2.1%。全球静态随机存取存储器(SRAM)市场主要厂商有Cypress、Renesas、ISSI等,前三大厂商占有约80%的市场份额。

三星取得存储器装置及存储器模块专利,支持行“主序”存取及列“主...

金融界2024年4月3日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“存储器装置及存储器模块“,授权公告号CN109390015B,申请日期为2018年6月。专利摘要显示,本发明提供一种存储器装置及存储器模块。存储器装置包括双晶体管单电容器动态随机存取存储器的阵列以及存储器控制器。动态随机存取存储器单元被排列...

复旦微电:SRAM,即静态随机访问存储器(Static Random Access...

公司回答表示,您好!SRAM,即静态随机访问存储器(StaticRandomAccessMemory),是随机访问存储器的一种。基于SRAM型FPGA,是指FPGA的内部配置寄存器采用了SRAM,FPGA的配置程序被记录/存在FPGA配套的外部FLASH存储器上;当FPGA上电时程序文件调入内部的配置寄存器。是FPGA的一种设计方案。谢谢。