三星计划2026年实现400层NAND闪存,2030年将超过1000层

三星在2013年推出了第一款量产的3DNAND存储器，称为V-NAND，并因此领先于竞争对手。三星是从24层V-NAND开始，逐渐积累了丰富的经验，目前最新量产的是第9代V-NAND，层数达到了290层。据TrendForce报道，随着人工智能（AI）的蓬勃发展，市场除了HBM这类高带宽存储器，也需要更多层数的NAND闪存，这是大型数据中心大...

闪存颗粒到底是何物?浅析闪存及制程

闪存颗粒,又称闪存,是一种非易失性存储器,即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据,而且是以固定的区块为单位,而不是以单个的字节为单位。根据用途和规格不同,闪存颗粒有很多不同的变种,今天我们主要讨论的是用于固态硬盘等存储设备中的、最为常用的NAND闪存颗粒。NAND闪存颗粒,是闪存家族的一员,最早由日立...

为什么QLC可能是NAND闪存的绝唱?

NAND闪存硅片上的布线和结构。来源:CyferzNAND闪存之所以被这样称呼,原因很容易从单元的连接方式看出,位线和地之间有多个单元串联(串)。NAND闪存使用FNT进行写入和擦除单元,由于其布局,必须始终以页面(字符串集合)进行写入(设置为「0」)和读取,而擦除则在块级别(页面集合)上执行。与NOR闪存和(E)EPR...

铠侠雄心壮志,目标 2027 年 3D NAND 闪存实现 1000 层堆叠

三星在上个月表示,计划2030年之前推出超过1000层的先进NAND闪存芯片,其中铪基薄膜铁电(HafniaFerroelectrics)将成为这项成就的关键。在摘要部分中写到,在金属带工程栅极中间层(BE-G.IL)、铁电(FE)开关、沟道中间层(Ch.IL)和硅(MIFIS)FeFET架构中,使用FE开关相互作用,来显著提高性能,表明hafnia...

美光发布232层QLC NAND闪存 6600MB/s读取 50微秒读取时延

近日,美光公司宣布推出了业界率先的232层QLCNAND闪存。这款闪存已经应用于消费级零售端的特定英睿达固态产品中,并且在消费级OEM端也与2500固态硬盘一同出样。同时,在企业级存储领域也开始进行批量生产。据美光介绍,这款232层QLC闪存具备2400MT/s的闪存I/O速率,相比于上一代176层QLC闪存提高了50%。此外,读取性能...

...长电科技巨资收购全球第二大NAND闪存供应商子公司股权后应声涨停

据悉,标的公司主要从事先进闪存存储产品的封装和测试,产品类型主要包括iNAND闪存模块,SD、MicroSD存储器等,产品广泛应用于移动通信、工业与物联网、汽车、智能家居及消费终端等领域(www.e993.com)2024年11月22日。值得关注的是,出售方母公司WesternDigitalCorporation(“西部数据”)是全球领先的存储器厂商。根据机构TrendForce的调查报告,2023...

1000层NAND,是「勇者」的游戏

三星:V-NAND架构三星于2013年率先向市场推出“V-NAND”(V代表Vertical,垂直的意思)。V-NAND技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式,通过改进型的ChargeTrapFlash技术,在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元,使得在同样的平面内获得更多的存储空间。

存储亮剑!NAND技术多点突破

群联表示PS5029-E29T是一款针对最新NAND闪存技术优化的PCIe4.0×4SSD主控,E29T采用DRAM-less设计,基于台积电12nm工艺,搭载ARMCortexR5CPU核心,拥有4条闪存通道,支持16CE,兼容3600MT/s闪存接口速率,最大容量可达8TB。性能方面,基于E29T主控的固态硬盘顺序读写分别可达7400MB/s和6800MB/s,随机读写性能也均...

NAND市场,激战打响

那么V-NAND闪存是什么呢?众所周知,平面NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分,而且为进一步提高容量、降低成本,NAND的制程工艺不断进步。虽然更先进的制程工艺带来了更大的容量,但容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降。比如:制程工艺不断革新的同时,NANDcell单元之间的干扰现象越来越严重。

3D NAND,只能堆叠?

不过,NAND市场的寒冬恐怕还未结束,有专家担心,产量的快速增长可能会超过需求,从而抑制NAND闪存价格的上涨,韩国工业经济贸易研究院研究员金仰N鹏表示:“除了人工智能数据中心使用的高容量NAND,很难说整个NAND市场都在复苏,产量的突然激增可能会压低一直在上涨的NAND价格。”...