氧化镓会取代碳化硅吗?一文看懂氧化镓 | 金刚石大会 | 碳材料展
目前,氧化镓外延工艺有HVPE(卤化物气相外延)和MOCVD(金属有机物化学气相沉积),HVPE设备可沉积厚膜、长膜速度快、设备造价低,但相关设备国外已禁运,我国产业界正在呼唤国产化的能力。日本NCT公司已使用HVPE实现了6英寸的氧化镓外延工艺。2.5氧化镓的掺杂与器件应用与SiC类似,氧化镓也有导电衬底和半绝缘衬底,通过掺杂...
厦门A股上市公司新增碳化硅产线
随着该产业园正式投产,三优光电有望扩大碳化硅功率器件和模块产品线的投入,持续拓展相关产品在新能源汽车、光储充等领域的应用。集邦化合物半导体Zac整理TrendForce集邦咨询新推出《2024中国SiC功率半导体市场分析报告》,聚焦中国市场发展,重点分析供应链各环节发展情况及主要厂商动态。以下为报告目录:...
有机硅行业研究报告|梧桐论道
有机硅,即有机硅化合物,是指含有Si-C键、且至少有一个有机基是直接与硅原子相连的化合物,包括各类小分子化合物和高分子聚合物,习惯上也常把那些通过氧、硫、氮等使有机基与硅原子相连接的化合物也当作有机硅化合物。有机硅产业链分为有机硅原料、有机硅单体、有机硅中间体和有机硅深加工产品四个环节...
半导体装备用碳化硅做结构件有哪些技术难点
碳化硅坯体在干燥和烧结过程中,由于水分的排除和有机物的烧失,容易产生不均匀的收缩,导致坯体开裂和变形等缺陷,并在坯体内部引入残余应力。这些残余应力在烧结后的精密加工过程中可能引发制品内部的裂纹扩展,导致裂纹等缺陷,降低制品的成品率。目前,大尺寸、复杂异形中空结构的精密碳化硅结构件的制备难度较高。集...
碳化硅检测项目及相关标准和方法
碳化硅,化学式为SiC,是一种无机物,由硅和碳相键结而成的陶瓷状化合物。碳化硅在自然界以莫桑石这种稀有的矿物的形式存在,但大部分碳化硅都是人工合成的。碳化硅具有高硬度、高耐磨性、高导热性、高抗氧化性、高耐腐蚀性等优异的物理和化学性能,被广泛应用于磨料、陶瓷、电子、光学、航空、冶金、核能等领域。
传承不息,焕新升级 | 德国元素关于锂离子电池中碳、氢、氮、硫与...
实验仪器:enviroTOC总有机碳分析仪样品:硫酸锰、硫酸镍、硫酸钴溶液实验数据:德国元素Elementar-inductarCScube红外碳硫仪-碳化硅中碳硫元素的测定碳化硅是一种无机碳化物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐电阻炉高温冶炼而成(www.e993.com)2024年7月30日。
亚胺类共价有机框架研究进展 | 科技导报
共价有机框架(CovalentOrganicFrameworks,COFs)材料是一类具有永久孔隙和高度有序结构的结晶多孔有机聚合物。虽然存在如金刚石、碳化硅和氮化硼等天然扩展的有机框架结构,但没有其他人工合成的类似物。直到2005年Yaghi课题组利用“动态共价化学”原理,成功将小的对称有机单体合成扩展的多孔结晶共价有机框架。
它是怎样成为芯片生产关键原材料的?
不过,他放弃了被实践证明难以行得通的HVPE法和MBE法,改用1971年曾被其他学者一度试用过但没有成功的金属有机化合物气相外延生长(MOVPE)法。使用MOVPE法研制氮化镓结晶不能没有MOVPE装置。今天,MOVPE装置已成了半导体研究实验室的标准配置,制造MOVPE装置也俨然成了一大产业。但在1980年代初期,MOVPE装置根本就无处...
【招银研究|行业深度】新能源汽车之800V高压平台篇——车桩电池三...
SiC是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体,相比传统的硅基材料,碳化硅的禁带宽度是硅的3倍,导热率是硅的4-5倍,击穿电压是硅的8-10倍,电子饱和漂移速率为硅的2-3倍,以上优点为SiC在高压平台应用提供了有力支撑。二是高压元器件需要重新满足800V以上的耐压要求。800V平台电压电流更高,电弧更严重,对继电器...
【复材资讯】国家自然科学基金项目丨SiO2气凝胶复合材料及其在...
在此基础上,根据增强材料的不同,进一步可分为氧化物复合SiO2气凝胶、纤维复合SiO2气凝胶以及有机聚合物增强SiO2气凝胶等几大类。常见气凝胶复合材料包括:SiO2-Al2O3气凝胶复合材料、SiO2-ZrO2气凝胶复合材料、SiO2-TiO2气凝胶复合材料、玻璃纤维增强气凝胶、陶瓷纤维增强气凝胶、碳纤维增强气凝胶以及聚合物复合SiO2气...